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立陶宛Optogama光折變晶體BGO晶體
立陶宛Optogama光折變晶體BGO晶體
  • 立陶宛Optogama光折變晶體BGO晶體

立陶宛Optogama光折變晶體BGO晶體

產品報價:5000元

更新時間:2020/1/19 17:46:38

地:廣東

牌:Optogama

號:BGO晶體

廠商性質: 生產型,貿易型,

公司名稱: 深圳維爾克斯光電有限公司

產品關鍵詞: BGO晶體   SBN晶體   Fe:LiNbO3晶體   BSO晶體   光折變晶體  

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劉經理 : (13691916712) (0755-84870203)

(聯系我時,請說明是在來寶網上看到的,謝謝?。?/b>



硅酸鉍(Bi)12SiO20,bso)晶體是一種高效率的光導材料,暗導率低,允許大量的光誘導空間電荷的積累。巨大的光電導性和電光特性提高了BSO晶體的應用范圍:空間光調制器、光開關、相位共軛混合器。Optogama用改進的Czochralski法生長了BSO晶體,其孔徑可達3英寸。

鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(Fe:LiNbO)的LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數和衍射效率、化學力學性能,是一種很有吸引力的光折變材料。Fe:LiNbO3晶體采用Czochralsky法生長,尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調整特定應用的材料性能。更重要的是,Fe:Linbo3晶體操作方便,成本低,適合批量生產。

SBN晶體晶體具有優良的光學和光折變性能。它們表面上是純的,被Ce,Cr,Co或Fe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學等領域有著廣泛的應用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體,采用改進的Stepanov法生長,線性尺寸可達40 mm。

鍺酸鉍(Bi12GeO20,BGO)晶體是具有低暗電導率的高效光電導體,可以積累大量光致空間電荷。

立陶宛Optogama光折變晶體BGO晶體

立陶宛Optogama光折變晶體BGO晶體

立陶宛Optogama光折變晶體BGO晶體

 

硅酸鉍晶體主要特點:

-高電光系數(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據要求定制

 

BSO晶體主要應用:

       -空間光調制器

-光開關

-相位共軛混合器。

 

BSO晶體的技術特性:

化學公式

Bi12SiO20

晶體結構

立方體,點編組23

晶格參數

10.10 a

密度

9.2克/cm3

Mohs硬度

5

透明度范圍

0.45-6μm

折射率

2.5

光學活性

42deg/mm

電光系數

r41 = 5 pm/V

介電常數(低頻)

56

暗電阻

1014 Ohm   cm

 

BSO晶體的產品規格:

透明孔徑

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<30 arcsec

保護槽

<0.3 mm at 45°

表面質量

40-20 S-D

波前畸變

<λ/[email protected]   nm

涂層

無涂層

 

硅酸鉍晶體產品型號

SKU

面尺寸

厚度

定向

價格(RMB)

1558

30×30毫米

1.0毫米

[110]

5500

6880

20x20毫米

1.0毫米

[110]

4500

6881

20x20毫米

1.0毫米

[100]

4500

6882

10x10毫米

5毫米

[110]

6500

6883

10x10毫米

5毫米

[100]

6500

6884

5x5毫米

5毫米

[110]

4800

6885

5x5毫米

5毫米

[100]

4900

9095

30×30毫米

1.5毫米

[110]

5600

 

鈮酸鋰晶體主要特點:

-高電光系數(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據要求定制

LiNbO3晶體的主要應用:

-空間光調制器

-光開關

-全息記錄

-光波導

 

LiNbO3晶體技術特性:

化學公式

Fe:LiNbO3

晶體結構

三角形,3m

密度

4.64克/cm3

Mohs硬度

5

透明度范圍

0.35-5.5μm

折射率@0,63μm

ne = 2.20, no = 2,29

電光系數

r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V

介電常數

e11 = 85,e33 = 30

 

鈮酸鋰晶體產品規格:

Fe2O3

0.1 mol. %,0.05   mol. %,0.03 mol. %,0.02 mol.   %

定向

90°切割(X-切割,Y-切割)

透明孔徑

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<3 arcmin

保護槽

<0.3 mm at 45°

表面質量

20-10 S-D

波前畸變

<λ/[email protected]   nm

涂層

無,可根據要求提供抗反射或銦錫氧化物涂層

電極

無,可根據要求提供

 

鈮酸鋰晶體產品型號:

SKU

面尺寸

長度

摻雜水平

價格(RMB)

4052

10x10毫米

5毫米

0,05%Fe2O3

請求

6457

10x10毫米

5毫米

0,02%Fe2O3

請求

6458

10x10毫米

5毫米

0,03%Fe2O3

請求

7005

10x10毫米

5毫米

0,1%Fe2O3

請求

7006

10x10毫米

1毫米

0,02%Fe2O3

4000

7007

10x10毫米

1毫米

0,03%Fe2O3

4000

7008

10x10毫米

1毫米

0,05%Fe2O3

4000

7009

10x10毫米

1毫米

0,1%Fe2O3

4000

7010

20x20毫米

1毫米

0,02%Fe2O3

請求

7011

20x20毫米

1毫米

0,03%Fe2O3

請求

7012

20x20毫米

1毫米

0,05%Fe2O3

請求

7013

20x20毫米

1毫米

0,1%Fe2O3

請求

 

 

SBN晶體的主要特點:

-Ce,Cr,Co,Fe純摻雜

-有效相位共軛

-定制尺寸,摻雜水平,無極化,減反射涂層和沒有電極晶體可根據要求

 

SBN晶體的主要應用:

-光學信息記錄

-熱釋電探測器

-自泵浦自共軛鏡

-光學相關器

 

SBN晶體的技術特性:

構圖

SBN:61

SBN:75

晶體結構

四邊形,4毫米

四邊形,4毫米

晶格參數

a = 12,46 ?, c = 3,946 ?

a = 12,43024 ?, c = 3,91341 ?

密度

5,4 g/cm3

5,4 g/cm3

Mohs硬度

5.5

5.5

熔化溫度

1480°C

1480°C

居里溫度

75°C

56

透光度范圍

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

折射率@633   nm

no = 2.3103,ne = 2.2817

no = 2.3117,ne = 2.2987

Δ[email protected]   nm

-0.0286

-0.0130

傳動

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

半波電壓(λ/2)

240 V

60V

介電常數(T=293   K)

900

340

電光系數

R13=45 pm/V,R33=250   pm/V

R13=65 pm/V,R33=740   pm/V,r42=40 pm/V

熱釋電系數

0.065μC×cm-2×K-1

0.28μC×cm-2×K-1

介電常數

880

3400

 

SBN晶體的產品規格:

定向

沿四方軸的短邊

波林

極化

電極

碳水電極

透明孔徑

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<30 arcsec

保護槽

<0.1 mm at 45°

表面質量

20-10 S-D通過透明光圈,60-40 S-D其他表面

表面平整度

<λ/[email protected]   nm

涂層

無涂層

 

SBN晶體的產品型號:

SKU

材料

面尺寸

長度

摻雜

價格(RMB)

6940

SBN:61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0,002   wt,%

15000

6941

SBN:61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 0,002   wt,%

18500

6942

SBN:61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0,002   wt,%

24000

6943

SBN:61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0,002   wt,%

30000

6944

SBN:61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0,01   wt,%

15000

6945

SBN:61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 0,01   wt,%

18800

6946

SBN:61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0,01   wt,%

22000

6947

SBN:61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0,01   wt,%

30000

6948

SBN:61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0,1   wt,%

15000

6949

SBN:61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 0,1   wt,%

18500

6950

SBN:61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0,1   wt,%

24000

6951

SBN:61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0,1   wt,%

30000

73

SBN:61

5x5毫米

5毫米

未摻雜

15000

74

SBN:61

5x5毫米

10毫米

未摻雜

18500

75

SBN:61

5x5毫米

15毫米

未摻雜

24000

76

SBN:61

5x5毫米

20毫米

未摻雜

30000

 

BGO晶體的主要特點:

-高電光系數(r41=3,5 pm/v)

-低暗電導

-大尺寸元件或晶片最多可達3“

-可根據要求定制

 

BGO晶體的主要應用:

-空間光調制器

-光開關

-光學相關器

 

BGO晶體的技術特性:

化學公式

Bi12GeO20

晶體結構

立方體,點編組23

晶格參數

10.15 a

密度

9.2克/cm3

傳輸范圍

0.45-7

折射率@0.63m

2,55

光學活性@500   nm

41.5度/毫米

電光系數r41

3.5 pm/V

介電常數

40

暗電阻

1014 Ohm cm

 

BGO晶體的產品規格:

透明孔徑

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<30 arcsec

保護槽

<0.3 mm at 45°

表面質量

40-20 S-D

波前畸變

<λ/[email protected]   nm

涂層

無涂層

 

BGO晶體的產品型號:

SKU

面尺寸

長度

定向

價格(RMB)

6868

5x5毫米

5毫米

[110]

5600

6871

5x5毫米

5毫米

[100]

5600

6872

10x10毫米

5毫米

[110]

8500

6873

10x10毫米

5毫米

[100]

8500

6874

20x20毫米

1毫米

[110]

5000

6875

20x20毫米

1毫米

[100]

5000

6876

30×30毫米

1毫米

[110],邊與<001>平面±2deg平行

6000

6877

30×30毫米

1,5毫米

[110]

6000

 


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電話:0755-84870203

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